RFMDWiFiPA產品線型號非常多，幾乎可以滿足所有WiFi產品的射頻需求。P/NMinFreqMaxFreqGainPOUTEVM(%)Vcc(V)TxIcc(mA)RFRFRFRF018120RFRFRFRF018120RFRF02810355RFRFRFRF03018395RFRF0345800RF02851000RF03051450RF018120RFPA0265545RFPA0255670RFPA0335470RFPA5201E875RFPASTA-5063Z352STA-6033(Z)83165SZA-2044(Z)300SZA-3044(Z)45340SZA-5044(Z)15330SZA-6044(Z)5165SZM-2066Z583SZM-2166Z76878SZM-3066Z65730SZM-3166Z7900SZM-5066Z55800RFPA55124900MHz5850MHz33dB11ac-?23dBm11n–25dBm11ac––3%5VRFPA0RFPA55225180MHz5925MHz33dB23dBm-35dB5V285mARFPA033RFPA5542B在這些產品中，**令筆者震撼的就是RFPA5201E，其性能好到沒朋友。筆者此前開發一款10W（11nHT20MCS7）超大功率放大器時，曾經選用了RFMDRFPA5201E作為驅動級。RFPA5201E測試數據與Datasheet中描述完全一致，如下圖。當然，RFPA5201E的功耗也是不容小覷的，達到了可怕的1000mA，這可能也是很多廠商望而卻步的原因。Richwave立積電子(RichwaveTechnologyCorp.)成立于2004年，是專業的IC設計公司。公司的主要技術在開發與設計世界前列的無線射頻(RF)集成電路，公司的主要目標是在無線射頻。穩定性是指放大器在環境(如溫度、信號頻率、源及負載等)變化比較大的情況下依1日保持正常工作特性的能力。低頻射頻功率放大器檢測技術

   在這些年的WiFi產品開發中，接觸了多種型號的射頻功率放大器（以下簡稱PA），本文對WiFi產品中常用的射頻功率放大器做個匯總，供讀者參考。本文中部分器件型號是FrontendModule，即包含內PA，LNA，Switch，按不同廠牌對PA進行介紹，按照廠牌字母順序進行排列。ANADIGICSANADIGICS成立于1985年，率先開創制造高容量、低成本、高性能的砷化鎵集成電路(GaAsICs)。ANADIGICS是世界的通信產品供應商。ANADIGICS為不斷發展的無線寬帶與無線通信市場，設計、制造射頻集成電路（RFIC）解決方案。公司創新的高頻率RFIC，能使通信設備制造商提高整體系統性能、減少產品的體積及重量、提高電源效率、提高穩定性、并降造成本及制程時間。PartNumberFrequencySupply(V)GainP1dBEVM@54MbpsAWL6951b/g:–b/g:32b/g:27g:a:–a:29a:a:AWL9224–3–3227b:meetsACPR@+23dBmg:AWL9555–+2926-33dB@Pout=+19dBm-36dB@Pout=+5dBmAWL6153–3–528313%@Pout=+25dBmAWL6950–3–b/g:3225g:–a:33a:本文*給出ANADIGICS的**高規格WiFiPAAWL6153的性能指標，如下圖。Avago這是一家從Agilent（現拆分為Agilent+Keysight）中分離出來的半導體公司，擁有50年的技術創新傳統。多年來。天津優勢射頻功率放大器檢測技術在射頻／微波 IC中一般用方形螺旋電感。

   圖1：某型號60WGaAsFET的內部結構這款晶體管放大器可以提供EMC領域的基礎標準IEC61000-4-3和IEC61000-4-6所強調的很好的線性度，如圖2所示。圖2：某晶體管的輸入輸出線性度這個晶體管可以在工作頻率范圍內提供所需的功率，它的輸出功率與頻率的關系如圖3所示。圖3：某晶體管的輸出功率與頻率的關系3.射頻微波功率晶體管采用的半導體材料的類型在用于EMC領域的功率放大器中會用到不同種類的晶體管，下面對典型的晶體管及其工作特性進行簡單介紹，由于不同種類的半導體材料具有不同的特性，功率放大器的設計者需要根據實際需求進行選擇和設計。在射頻微波功率放大器中采用的半導體材料主要包括以下幾種。雙極結型晶體管（BJT）雙極性結型晶體管（bipolarjunctiontransistor,BJT）就是我們通常說的三極管，是一種具有三個端子的電子器件，由三部分摻雜程度不同的半導體制成，晶體管中的電荷流動主要是由于載流子在PN結處的擴散作用和漂移運動。這種晶體管的工作，同時涉及電子和空穴兩種載流子的流動，因此它被稱為雙極性的，所以也稱雙極性載流子晶體管。常見的有鍺晶體管和硅晶體管，可采用電流控制，在一定范圍內，雙極性晶體管具有近似線性的特征。

   1.射頻微波功率放大器及其應用放大器是用來以更大的功率、更大的電流，更大的電壓再現信號的部件。在信號處理過程中不可或缺的放大器，既可以做成用在助聽器里的微晶片，也可以做成像多層建筑那么大以便向水下潛艇或外層空間傳輸無線電信號。功率放大器可以被認為是將直流（DC）輸入轉換成射頻和微波能量的電路。不是在電磁兼容領域需要在射頻和微波頻率上產生足夠的功率，在無線通信、雷達和雷達干擾，醫療功率發射機和高能成像系統等領域都需要，每種應用領域都有它對頻率、帶寬、負載、功率、效率和成本的獨特要求。射頻和微波功率可以利用不同的技術和不同的器件來產生。本文著重介紹在EMC應用中普遍使用的固態射頻功率放大器技術，這種固態放大器的頻率可以達到6GHz甚至更高，采用了A類，AB類、B類或C類放大器的拓撲結構。2.射頻微波功率晶體管概述隨著半導體技術的不斷進步，可用于RF功率放大器的器件和種類越來越多。各種封裝器件被普遍采用，圖1顯示了一個典型的蓋子被移除的晶體管。這是一個大功率為60W的采用了GaAsFET的平衡微波晶體管，適合推挽式的AB類放大器使用。放大器能把輸入信號的電壓或功率放大的裝置，由電子管或晶體管、電源變壓器和其他電器元件組成。

經過數十年的發展，GaN技術在全球各大洲已經普及。市場的廠商主要包括SumitomoElectric、Wolfspeed（Cree科銳旗下）、Qorvo，以及美國、歐洲和亞洲的許多其它廠商。化合物半導體市場和傳統的硅基半導體產業不同。相比傳統硅工藝，GaN技術的外延工藝要重要的多，會影響其作用區域的品質，對器件的可靠性產生巨大影響。這也是為什么目前市場的廠商都具備很強的外延工藝能力，并且為了維護技術秘密，都傾向于將這些工藝放在自己內部生產。GaN-on-SiC更具有優勢。盡管如此，Fabless設計廠商通過和代工合作伙伴的合作，發展速度也很快。憑借與代工廠緊密的合作關系以及銷售渠道，NXP和Ampleon等廠商或將改變市場競爭格局。同時，目前市場上還存在兩種技術的競爭：GaN-on-SiC（碳化硅上氮化鎵）和GaN-on-Silicon（硅上氮化鎵）。它們采用了不同材料的襯底，但是具有相似的特性。理論上，GaN-on-SiC具有更好的性能，而且目前大多數廠商都采用了該技術方案。不過，M/A-COM等廠商則在極力推動GaN-on-Silicon技術的應用。未來誰將主導還言之過早，目前來看，GaN-on-Silicon仍是GaN-on-SiC解決方案的有力挑戰者。全球GaN射頻器件產業鏈競爭格局GaN微波射頻器件產品推出速度明顯加快。射頻功率放大器(RF PA)是發射系統中的主要部分。廣西寬帶射頻功率放大器生產廠家

射頻功率放大器(RF PA)是發射系統中的主要部分，其重要性不言而喻。低頻射頻功率放大器檢測技術

產 品 分 別 10KHz ～ 18GHz 頻 帶 有 百 余 種 射 頻 功 放 產 品 ,10W、50W、100W、200W 及各類開關 LC 濾波器（高低通濾波器）寬帶雙定向耦合器系列產品。功放整機 。將迎來新一輪的創新周期，在新一輪創新周期中，國產替代趨勢有望進一步加強。公司所處的本土電子元器件授權分銷行業，近年來進入飛速整合發展期，產業集中度不斷提升，規模化、平臺化趨勢加強。目前，我們的生活充斥著各種電子產品，無論是智能設備還是非智能設備，都離不開電子元器件的身影。智能化發展帶來的經濟化效益無疑是更為明顯的，但是在它身后的射頻功放，寬帶射頻功率放大器，射頻功放整機，無人機干擾功放前景廣闊。新型顯示、智能終端、人工智能、汽車電子、互聯網應用產品、移動通信、智慧家庭、5G等領域成為中國電子元器件市場發展的源源不斷的動力，帶動了電子元器件的市場需求，也加快電子元器件更迭換代的速度，從下游需求層面來看，電子元器件市場的發展前景極為可觀。在市場競爭力、市場影響力、企業管理能力以及企業經營規模實力等方面，繼續做大做強，不斷強化公司在國內產 品 分 別 10KHz ～ 18GHz 頻 帶 有 百 余 種 射 頻 功 放 產 品 ,10W、50W、100W、200W 及各類開關 LC 濾波器（高低通濾波器）寬帶雙定向耦合器系列產品。功放整機 。授權分銷行業的優先地位。因為行業產值的天花板仍很高，在這個領域內繼續整合的空間還很大。低頻射頻功率放大器檢測技術

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