射頻功率放大器電路，用于根據微控制器的控制，對射頻收發器的輸出信號進行放大或衰減；天線，用于發射射頻功率放大器電路的輸出信號。由于終端(如水電表)分布范圍廣，每個終端距離基站的距離各不相同，距離基站遠的終端，其信道衰減量大，因此需要射頻功率放大器電路的輸出功率大；而距離基站近的終端，其信道衰減量小，因此需要射頻功率放大器電路的輸出功率小。微控制器通過控制射頻功率放大器電路的輸入功率和增益，從而控制其輸出功率，使其輸出功率滿足要求。例如，基站使用預先確定的通信資源發送同步信號(synchronizationchannel，sch)和廣播信號(broadcastchannel，bch)。然后，終端首先捕捉sch，從而確保與基站之間的同步。然后，終端通過讀取bch而獲取基站特定的參數(如頻率、帶寬等)。終端在獲取到基站特定的參數之后，通過對基站進行連接請求，建立與基站的通信。基站根據需要對建立了通信的終端通過物理下行控制信道(physicaldownlinkcontrolchannel，pdcch)等控制信道發送控制信息。終端中的微控制器通過通信模組接收到控制信息后，控制輸出功率，使其滿足要求。基站在與終端的通信過程中，根據路徑損耗(pathloss，pl)確定鏈路預算(linkbudget，lb)。噪聲系數是指輸入端信噪比與放大器輸出端信噪比的比值，單位常用“dB'’。河北自動化射頻功率放大器值得推薦

    所述不同的匹配電阻的電阻值不相等。可選的，在本申請的一些實施例中，所述射頻功率放大器的輸出端連接所述射頻功率放大器檢測模塊。相應的，本申請實施例還提供了一種移動終端射頻功率放大器檢測裝置，包括：預設單元，用于預設射頻功率放大器的配置狀態電阻值；計算單元，用于計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值；比較單元，用于比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態電阻值。可選的，在本申請的一些實施例中，所述計算單元包括：計算電阻，所述計算電阻一端與所述射頻功率放大器檢測模塊連接，所述計算電阻另一端與電源電壓連接；處理器，所述處理器的引腳與所述計算電阻、所述射頻功率放大器檢測模塊連接。此外，本申請實施例還提供了一種移動終端，包括：存儲器，用于存儲射頻功率放大器的初始狀態電阻值，配置狀態電阻值以及射頻功率放大器檢測模塊的電阻值；處理器，用于控制所述射頻功率放大器的開啟和關閉。可選的，在本申請的一些實施例中，所述移動終端包括上述的移動終端射頻功率放大器檢測裝置。本申請實施例提供了一種移動終端射頻功率放大器檢測方法，包括：預設射頻功率放大器的配置狀態電阻值。云南高科技射頻功率放大器射頻功率放大器包括A類、AB類、B類和c類等，開關放大 器包括D類、E類和F類等。

    橫坐標為輸出功率pout，曲線41對應自適應動態偏置電路提供給共柵放大器的柵極偏置電壓，曲線42對應自適應動態偏置電路提供給共源放大器的柵極偏置電壓。圖5示例性地示出了本申請實施例提供的高線性射頻功率放大器對應的imd3(thirdorderintermodulation，三階互調)曲線圖51，以及現有的射頻功率放大器對應的imd3曲線圖52，根據曲線51和曲線52，可以看出本申請實施例提供的高線性射頻功率放大器的imd3得到了提高(增幅為△imd3)，橫坐標為輸出功率pout。顯然，上述實施例是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本申請創造的保護范圍之中。

    本申請涉及射頻處理技術領域，具體涉及一種移動終端射頻功率放大器檢測方法及裝置。背景技術：通話是移動終端的為基本的功能之一，射頻功率放大器(rfpa)是發射系統中的主要部分，其重要性不言而喻。在發射機的前級電路中，調制振蕩電路所產生的射頻信號功率很小，需要經過一系列的放大(緩沖級、中間放大級、末級功率放大級)獲得足夠的射頻功率以后，才能饋送到天線上輻射出去。為了獲得足夠大的射頻輸出功率，必須采用射頻功率放大器。在調制器產生射頻信號后，射頻已調信號就由射頻放大器將它放大到足夠功率，經匹配網絡，再由天線發射出去。由于現有技術中的所支持的射頻頻段眾多，每個頻段所使用的射頻功率放大器配置可能有所差異，雖然由移動終端的軟件寫入了相關的配置指令，由于指令發出總是存在先后關系，在現有技術中往往需要在配置頻段時在所有射頻功率放大器啟動指令發出后再延遲一個時間(例如)認為已經配置完成，再進行下一步操作。例如，在第，此時需要向4個依次射頻功率放大器發出啟動指令，然后等待，開始下一步操作，但其實這個，很可能在。因此，現有技術存在缺陷，有待改進與發展。技術實現要素：本申請實施例提供一種移動終端射頻功率放大器檢測方法。射頻放大器的穩定性問題非常重要，是保證設備安全可靠運行的必要條件。

    溫度每升高10°C將會導致內部功率器件的平均無故障工作時間（MTBF）縮短。AB類放大器在討論AB類放大器之前，讓我們簡單地說一說B類放大器。B類放大器的晶體管偏置使得器件在輸入信號的半個周期內導通，在另半個周期截止，為了復現整個周期的信號，可采用雙管B類推挽電路，如圖所示。B類放大器的偏置設置使得當在沒有輸入信號的情況下器件的輸出電流為零，每個器件只在特定的信號半周期內工作，因此，B類放大器具有高的效率，理論上可以達到。但由于兩個管子交替著開啟關閉引起的交越失真使得線性度不好。這種交越失真的存在使它不適合商用電磁兼容標準的應用。AB類放大器也是EMC領域常用的功率放大器，其工作原理圖如圖5所示。圖5：AB類放大器的工作原理圖AB類放大器試圖使得工作效率與B類放大器接近，而線性度與A類放大器接近。通過調整對偏置電壓的設置，使得AB類放大器中的每個管子都可以像B類放大器一樣分別在輸入信號的半個周期內導通，但在兩個半周期中每個管子都會有同時導通的一個很小的區域，這就避免了兩個管子同時關閉的區間，結果是，當來自兩個器件的波形進行組合時，交叉區域導致的交越失真被減少或完全消除。通過對靜態工作點的精確設置。AB類功率放大器在一個周期的50％和loo％的某段時間內導通這 取決所選擇的偏置大小效率和線性度介于A和B類。四川定制開發射頻功率放大器系列

輸出匹配電路確定后功率放大器的輸出功率及效率也基本確定了但它 的增益平坦度并不一定滿足技術指標的要求。河北自動化射頻功率放大器值得推薦

    因為這些特性，GaAs器件被應用在無線通信、衛星通訊、微波通信、雷達系統等領域，能夠在更高的頻率下工作，高達Ku波段。與LDMOS相比，擊穿電壓較低。通常由12V電源供電，由于電源電壓較低，使得器件阻抗較低，因此使得寬帶功率放大器的設計變得比較困難。GaAsMESFET是電磁兼容微波功率放大器設計的常用選擇，在80MHz到6GHz的頻率范圍內的放大器中被采用。GaAs贗晶高電子遷移率晶體管（GaAspHEMT）GaAspHEMT是對高電子遷移率晶體管（HEMT）的一種改進結構，也稱為贗調制摻雜異質結場效應晶體管（PMODFET），具有更高的電子面密度（約高2倍）；同時，這里的電子遷移率也較高（比GaAs中的高9%），因此PHEMT的性能更加優越。PHEMT具有雙異質結的結構，這不提高了器件閾值電壓的溫度穩定性，而且也改善了器件的輸出伏安特性，使得器件具有更大的輸出電阻、更高的跨導、更大的電流處理能力以及更高的工作頻率、更低的噪聲等。采用這種材料可以實現頻率達40GHz，功率達幾W的功率放大器。在EMC領域，采用此種材料可以實現，功率達200W的功率放大器。氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaNHEMT）氮化鎵（GaN）HEMT是新一代的射頻功率晶體管技術，與GaAs和Si基半導體技術相比。河北自動化射頻功率放大器值得推薦

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