輸出則是方波信號，產生的諧波較大，屬于非線性功率放大器，適合放大恒定包絡的信號，輸入信號通常是脈沖串類的信號。C類放大器的優點與A類放大器相比，功率效率提高。與A類放大器相比，可以低價獲得射頻功率。風冷即可，他們使用的冷卻器比A類更輕。C類放大器的缺點脈沖射頻信號放大。窄帶放大器。通過以上介紹可以看出，作為射頻微波功率放大器采用的半導體材料，有許多種類，每種都有其各自的特點和適用的功率和頻率范圍，隨著半導體技術的不斷發展，使得更高頻率和更高功率的功放的實現成為可能并且越來越容易實現。作為EMC領域的常用的射頻微波功率放大器的幾個類別，每種也都有其各自的優缺點和適用的場合。在實際的EMC抗擾度測試中，我們需要根據實際需求進行合理的選擇。，分別是TESEQ，MILMEGA和IFI，如圖7所示。既有固態類功放，也有適合于高頻大功率應用的TWT功放。圖7：AMETEK旗下擁有三個品牌的功放產品作為這些不同頻段不同功率的固態類射頻微波功放產品，采用了以上所述的不同類型的半導體材料制成的晶體管，具有A類，AB類以及C類不同種功率放大器。這些功放的內部都由若干個部分組成，主要包括：輸入驅動模塊，信號分離模塊，功率放大器模塊。丙類狀態：在信號周期內存在工作電流的時間不到半個周期即導通角0 小于18度，丙類功放的優點是效率非常高。山東線性射頻功率放大器設計

    寬帶性能一致性差，諧波性能也較差。采用普通結構變壓器級聯lc匹配實現功率合成和阻抗變換的pa，采用變壓器及其輸入輸出匹配電容，輸出級聯lc匹配濾波電路。這種結構優點是諧波性能好，可以實現寬帶一致的阻抗變換；缺點是寬帶性能一致性和插損之間存在折中，高頻點插損較大。在本發明實施例中，通過增加輔次級線圈可以在不影響初級線圈和主次級線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑，減小耦合系數k值較小對阻抗變換的影響。根據初級線圈和主次級線圈的k值等參數，選擇合適的輔次級線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍，降低功率合成變壓器損耗。此外，將功率合成變壓器的主次級線圈和輔次級線圈以及匹配濾波電路協同設計，能夠進一步提高射頻功率放大器的寬帶阻抗變換和濾波性能。為使本發明的上述目的、特征和有益效果能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施例做詳細的說明。本發明實施例提供了一種射頻功率放大器，參照圖1。在本發明實施例中，射頻功率放大器可以包括：功率放大單元(powercell)、功率合成變壓器以及匹配濾波電路。在具體實施率放大單元可以包括兩個輸入端以及兩個輸出端。廣西高頻射頻功率放大器技術諧波抑制，功率放大器的非線性特性使輸出包含基波信號同時在各項諧波幅度大小與信號大小呈一定的比例關系。

    其中：串聯電感l用于匹配并聯到地支路中的sw1在關閉狀態的寄生電容，減少對后級驅動放大電路的輸入匹配電路的影響。在負增益模式下，sw1處在導通狀態，電阻r主要承擔對射頻輸入功率分流后的衰減，sw1主要負責射頻輸入支路端與接地端(gnd)的導通。若系統要求的增益很低，r也可以省略，用sw1自身導通時寄生的電阻吸收和衰減射頻功率。這里的開關可以用各種半導體工藝實現，如互補金屬氧化物半導體(complementarymetaloxidesemiconductor，cmos)，絕緣體上硅(silicononinsulator，soi)cmos管，pin二極管等，其中，pin表示：在p和n半導體材料之間加入一薄層低摻雜的本征(intrinsic)半導體層，組成的這種p-i-n結構的二極管就是pin二極管。需要說明的是，r所在的可控衰減電路與后級的功率放大電路的關系是并聯關系。并聯關系在于電壓相同時，r越小，可控衰減電路分得電流越大，得到的功率越多。故r越小，進入可控衰減電路的功率越多，相應的進入后級功率放大電路的功率就越少，衰減就越大。所以，為了實現大幅度的衰減，r有時需要省略，依靠sw自身的導通電阻ron。其中，串聯電感l1的通過以下方法得到：在未加入可控衰減電路時，若輸入匹配電路101對應的阻抗為：z0＝r0+jx0。

    在本發明實施例率放大單元的輸入端可以輸入差分信號input_p，功率放大單元的第二輸入端可以輸入第二差分信號input_n。功率放大單元可以對輸入的差分信號input_p以及第二差分信號input_n分別進行放大處理，功率放大單元的輸出端可以輸出經過放大的差分信號，功率放大單元的第二輸出端可以輸出經過放大的第二差分信號。差分信號input_p以及第二差分信號input_n的放大倍數可以由功率放大單元的放大系數決定，且差分信號input_p的放大倍數和對第二差分信號input_n的放大倍數相同。在具體實施中，差分信號input_p以及第二差分信號input_n可以是對輸入至射頻功率放大器的輸入信號進行差分處理后得到的。具體的，對輸入信號進行差分處理的原理及過程可以參照現有技術，本發明實施例不做贅述。在具體實施率合成變壓器可以包括初級線圈11以及次級線圈。在本發明實施例中，初級線圈11的端可以與功率放大單元的輸出端耦接，輸入經過放大的差分信號；初級線圈11的第二端可以與功率放大單元的第二輸出端耦接，輸入經過放大的第二差分信號。在本發明實施例中，次級線圈可以包括主次級線圈121以及輔次級線圈122。主次級線圈121的端接地。微波固態功率放大器通常安裝在一個腔體內，由于頻率高，往往容易產生寄 生藕合與干擾。

    第三子濾波電路的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三子濾波電路的第二端可以接地。在本發明實施例中，第三子濾波電路可以包括第三電容c3；第三電容c3的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三電容c3的第二端可以接地。在具體實施中，第三子濾波電路還可以包括第三電感l3，第三電感l3可以串聯在第三電容c3的第二端與地之間。參照圖3，給出了本發明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結構圖。與圖2相比較而言，圖3中提供的射頻功率放大器增加了第三電感l3。通過增加第三電感l3，可以進一步提高射頻功率放大器的諧波濾波性能。在具體實施中，輸出端匹配濾波電路還可以包括第四子濾波電路。在本發明實施例中，第四子濾波電路的端可以與主次級線圈121的第二端耦接，第四子濾波電路的第二端可以與射頻功率放大器的輸出端output耦接。第四子濾波電路可以為lc匹配濾波電路，lc匹配濾波電路可以為兩階匹配濾波電路，也可以為多階匹配濾波電路。當lc匹配濾波電路為兩階匹配濾波電路時，其可以包括一個串聯電感以及一個到地電容；當lc匹配濾波電路為多階匹配濾波電路時，其可以包括兩個串聯電感或更多串聯電感和一個到地電容或更多個到地電容。對于AM．AM失真，它與晶體管是否工作于飽和區密切相關。為減小 AM—AM失真，應降低工作點，常稱為增益回退。河南高頻射頻功率放大器技術

功率放大器線性化技術一一功率回退、前饋、反饋、預失真，出于射頻 預失真結構簡單、易于集成和實現等優點。山東線性射頻功率放大器設計

    第二端接地。可選的，所述子濾波電路包括：電容；所述電容的端與所述功率合成變壓器的輸入端以及所述功率放大單元的輸出端耦接，第二端接地。可選的，所述子濾波電路還包括：電感；所述電感串聯在所述電容的第二端與地之間。可選的，所述第二子濾波電路包括：第二電容；所述第二電容的端與所述功率合成變壓器的第二輸入端以及所述功率放大單元的第二輸出端耦接，第二端接地。可選的，所述第二子濾波電路還包括：第二電感；所述第二電感串聯在所述第二電容的第二端與地之間。可選的，所述輸入端匹配濾波電路還包括：寄生電容；所述寄生電容耦接在所述功率放大單元的輸出端與所述功率放大單元的第二輸出端之間。可選的，所述輸出端匹配濾波電路包括第三子濾波電路；所述第三子濾波電路的端與所述輔次級線圈的第二端耦接，第二端接地。可選的，所述第三子濾波電路包括：第三電容；所述第三電容的端與所述輔次級線圈的第二端耦接，第二端接地。可選的，所述第三子濾波電路還包括：第三電感；所述第三電感串聯在所述第三電容的第二端與地之間。可選的，所述輸出端匹配濾波電路還包括第四子濾波電路；所述第四子匹配濾波電路的端與所述主次級線圈的第二端耦接。山東線性射頻功率放大器設計

能訊通信科技（深圳）有限公司是一家產 品 分 別 10KHz ～ 18GHz 頻 帶 有 百 余 種 射 頻 功 放 產 品 ,10W、50W、100W、200W 及各類開關 LC 濾波器（高低通濾波器）寬帶雙定向耦合器系列產品。功放整機 。的公司，致力于發展為創新務實、誠實可信的企業。能訊通信作為產 品 分 別 10KHz ～ 18GHz 頻 帶 有 百 余 種 射 頻 功 放 產 品 ,10W、50W、100W、200W 及各類開關 LC 濾波器（高低通濾波器）寬帶雙定向耦合器系列產品。功放整機 。的企業之一，為客戶提供良好的射頻功放，寬帶射頻功率放大器，射頻功放整機，無人機干擾功放。能訊通信不斷開拓創新，追求出色，以技術為先導，以產品為平臺，以應用為重點，以服務為保證，不斷為客戶創造更高價值，提供更優服務。能訊通信始終關注電子元器件行業。滿足市場需求，提高產品價值，是我們前行的力量。