射頻前端集成電路領域，具體涉及一種高線性射頻功率放大器。背景技術：射頻功率放大器的主要參數是線性和效率。線性是表示射頻功率放大器能否真實地放大信號的參數。諸如lte和，要求射頻前端模塊具有極高的線性度，射頻功率放大器作為一個發射系統中的重要組成部分，對整個系統的線性度起著至關重要的作用。目前采用cmos器件的射頻功率放大器適用于和其他通信部分電路做片上集成，但是難以嚴格地滿足線性度需求。技術實現要素：為了解決相關技術中射頻功率放大器的線性度難以滿足需求的問題，本申請提供了一種高線性射頻功率放大器。技術方案如下：一方面，本申請實施例提供了一種高線性射頻功率放大器，包括功率放大器、激勵放大器、匹配網絡和自適應動態偏置電路，自適應動態偏置電路用于根據輸入功率等級調節功率放大器的柵極偏置電壓；功率放大器通過匹配網絡和激勵放大器連接射頻輸入端，功率放大器通過匹配網絡連接射頻輸出端；自適應動態偏置電路的輸入端連接射頻輸入端，自適應動態偏置電路的輸出端連接功率放大器中的共源共柵放大器；其中，自適應動態偏置電路至少由若干個nmos、若干個pmos管、若干個電容和電阻組成。可選的。功率放大器因此要盡量采用典型可 靠的電路、合理分配增益、減少放大器的級數，以降低故障概率。海南L波段射頻功率放大器定制

    因為柵長l固定，因此可以通過設計柵寬w得到寄生電阻大小為ron的mos管。寄生電容coff＝fom/ron，fom為半導體工藝商提供的參數，單位為fs(飛秒)，在寄生電阻ron確定后，可確定寄生電容coff的大小，如此，即可確定可控衰減電路中開關的相關參數。在一個可能的示例中，可控衰減電路包括電阻、備用電阻rn、電感、開關和備用開關tn，開關的柵級與電阻的端連接，電阻的第二端連接電壓信號，開關的漏級與備用開關的源級連接，開關的源級接地，備用開關的柵級連接備用電阻的端，備用電阻的第二端連接電壓信號，備用開關的漏級連接電感的端，電感的第二端連接輸入信號；其中，開關和備用開關，用于響應微處理器發出的控制信號使自身處于關斷狀態，以使可控衰減電路處于無衰減狀態，實現射頻功率放大器電路處于非負增益模式；還用于響應微處理器發出的第二控制信號使自身處于導通狀態，以使可控衰減電路處于衰減狀態，實現射頻功率放大器電路處于負增益模式；其中，控制信號為具有電壓值的電壓信號，第二控制信號為具有第二電壓值的電壓信號，電壓值與第二電壓值不同。其中，為進一步提高耐壓能力和靜電保護能力，可采用如圖9所示的可控衰減電路，將第二電阻替換成備用開關和備用電阻。云南EMC射頻功率放大器經驗豐富由于功率放大器的源和負載都是50歐姆，輸入匹配電路和輸出匹配 電路主要是對一端是50歐姆。

    本發明實施例的技術方案具有以下有益效果：增加輔次級線圈可以在不影響初級線圈和主次級線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑，減小耦合系數k值較小對阻抗變換的影響。根據初級線圈和主次級線圈的k值等參數，選擇合適的輔次級線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍，降低功率合成變壓器損耗。此外，將功率合成變壓器的主次級線圈和輔次級線圈以及匹配濾波電路協同設計，能夠進一步提高射頻功率放大器的寬帶阻抗變換和濾波性能。附圖說明圖1是本發明實施例中的一種射頻功率放大器的電路結構圖；圖2是本發明實施例中的另一種射頻功率放大器的電路結構圖；圖3是本發明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結構圖；圖4是本發明實施例中的再一種射頻功率放大器的電路結構圖；圖5是本發明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結構圖；圖6是本發明實施例中的再一種射頻功率放大器的電路結構圖；圖7是本發明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結構圖。具體實施方式如上所述，現有技術中，采用普通結構變壓器實現功率合成和阻抗變換的pa，只采用變壓器及其輸入輸出匹配電容。這種結構優點是結構相對簡單，缺點是難以實現寬帶功率放大器。

    使射頻功率放大器電路實現負增益模式。可見，通過微控制器可控制第二mos管和第四mos管的漏級電流、第三mos管和第五mos管的門級電壓，進而可調節驅動放大電路和功率放大電路的放大倍數，從而實現對射頻功率放大器電路的增益的線性調節。根據上述實施例可知，若需要使射頻功率放大器電路為非負增益模式，需要微控制器控制開關關斷，控制第二開關關斷，控制偏置電路使第二mos管的漏級電流和第三mos管的柵級電壓均變大，控制第二偏置電路使第四mos管的漏級電流和第五mos管的柵級電壓均變大。其中，第二開關關斷時，反饋電路的放大系數af較大，有助于輸入信號的放大，偏置電路和第二偏置電路中漏極電流、門極電壓、漏級供電電壓較大，也有助于輸入信號的放大，開關關斷，則可控衰減電路被隔離開，對輸入信號的影響較小，通過這樣的控制，可以實現輸入信號的放大。當射頻功率放大器電路的輸出功率(較大)確定后，微處理器可以進一步得到其輸入功率和增益值，微處理器對輸入功率進行調節，控制電壓信號vgg，使開關關斷，控制第二開關關斷，通過控制偏置電路和第二偏置電路中的內部電流源和內部電壓源，并對漏級供電電壓vcc進行控制，從而使偏置電路中漏級電流、柵級電壓變小。射頻功率放大器包括A類、AB類、B類和c類等，開關放大 器包括D類、E類和F類等。

    具體地，第二pmos管mp01的源極通過電阻r13接電源電壓vdd。第二nmos管mn18的柵極與第二pmos管mp01的柵極連接后與nmos管mn17的漏極連接。第三nmos管mn19的漏極與第三pmos管mp02的漏極連接，第三nmos管mn19的源極接地，第三pmos管mp02的源極接電源電壓，第三nmos管mn19的柵極與漏極連接，第三pmos管mp02的柵極和漏極連接。第二nmos管mn18的漏極與第二pmos管mp01的漏極的公共端記為連接點a，第三nmos管mn19的漏極與第三pmos管mp02的漏極的公共端記為第二連接點b，連接點a與第二連接點b連接,第二連接點b通過電阻r15接自適應動態偏置電路的輸出端vbcs_pa，輸出端vbcs_pa用于為功率放大器源放大器的柵極提供偏置電壓。第四nmos管mn20的漏極與第四pmos管mp03的漏極連接后與pmos管mp04的柵極連接，第四nmos管mn20的源極接地，第四pmos管mp03的源極接電源電壓vdd，第四nmos管mn20的柵極和第四pmos管mp03的柵極連接后與nmos管mn17的漏極連接。pmos管mp04的漏極通過電阻r17接自適應動態偏置電路的第二輸出端vbcg_pa，第二輸出端vbcg_pa用于為功率放大器柵放大器的柵極提供偏置電壓。圖3示出了本申請一實施例提供的高線性射頻功率放大器的電路原理圖。甲類工作狀態：功放大器在信號周期內始終存在工作電流，即導通角0為360度。四川L波段射頻功率放大器價格多少

功率放大器在無線通信系統中是一個不可缺少的重要組成部分通信體制的發展功率放大器進入了快速發展的階段。海南L波段射頻功率放大器定制

    本申請實施例涉及但不限于射頻前端電路，尤其涉及一種射頻功率放大器電路及增益控制方法。背景技術：射頻前端系統中的功率放大器(poweramplifier，pa)一般要求發射功率可調，當pa之前射頻收發器的輸出動態范圍有限時，就要求功率放大器增益高低可調節。在廣域低功耗通信的應用場景中，對射頻功率放大器電路的增益可調要求變得更突出，其動態范圍要達到35～40db，并出現負增益的需求模式。相關技術中通常通過反饋電路提供的負反饋來對增益進行調節，但是反饋電路只能增加或減少增益，而不能實現負增益，無法滿足射頻功率放大器電路的負增益需求。技術實現要素：有鑒于此，本申請實施例提供一種射頻功率放大器電路及增益控制方法。本申請實施例的技術方案是這樣實現的：本申請實施例提供一種射頻功率放大器電路，應用于終端，包括：依次連接的可控衰減電路、輸入匹配電路、驅動放大電路、級間匹配電路、功率放大電路和輸出匹配電路，與所述驅動放大電路跨接的反饋電路；所述可控衰減電路，用于根據所述終端中微處理器發送的模式控制信號，實現射頻功率放大器電路的負增益模式與非負增益模式之間的切換；所述輸入匹配電路。海南L波段射頻功率放大器定制

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