微光顯微鏡無法檢測不產生光子的失效（如歐姆接觸、金屬短路），且易受強光環境干擾；熱紅外顯微鏡則難以識別無明顯溫度變化的失效（如輕微漏電但功耗極低的缺陷），且溫度信號可能受環境熱傳導影響。

實際分析中，二者常結合使用，通過 “光 - 熱” 信號交叉驗證，提升失效定位的準確性。致晟光電在技術創新的征程中，實現了一項突破性成果 —— 將熱紅外顯微鏡與微光顯微鏡集可以集成于一臺設備，只需一次采購，便可以節省了重復的硬件投入。 通過調節探測靈敏度，它能適配不同漏電流大小的檢測需求，靈活應對多樣的檢測場景。工業檢測微光顯微鏡廠家

在半導體芯片漏電檢測中，微光顯微鏡為工程師快速鎖定問題位置提供了關鍵支撐。當芯片施加工作偏壓時，設備即刻啟動檢測模式 —— 此時漏電區域因焦耳熱效應會釋放微弱的紅外輻射，即便輻射功率為 1 微瓦，高靈敏度探測器也能捕捉到這一極微弱信號。這種檢測方式的在于，通過熱成像技術將漏電點的紅外輻射轉化為可視化熱圖，再與電路版圖進行疊加分析，可實現漏電點的微米級精確定位。相較于傳統檢測手段，微光設備無需拆解芯片即可完成非接觸式檢測，既避免了對芯片的二次損傷，又能在不干擾正常電路工作的前提下，捕捉到漏電區域的細微熱信號。半導體失效分析微光顯微鏡按需定制針對光器件，能定位光波導中因損耗產生的發光點，為優化光子器件的傳輸性能、降低損耗提供關鍵數據。

芯片制造工藝復雜精密，從設計到量產的每一個環節都可能潛藏缺陷，而失效分析作為測試流程的重要一環，是攔截不合格產品、追溯問題根源的 “守門人”。微光顯微鏡憑借其高靈敏度的光子探測技術，能夠捕捉到芯片內部因漏電、熱失控等故障產生的微弱發光信號，定位微米級甚至納米級的缺陷。這種檢測能力，能幫助企業快速鎖定問題所在 —— 無論是設計環節的邏輯漏洞，還是制造過程中的材料雜質、工藝偏差，都能被及時發現。這意味著企業可以針對性地優化生產工藝、改進設計方案，從而提升芯片良率。在當前芯片制造成本居高不下的背景下，良率的提升直接轉化為生產成本的降低，讓企業在價格競爭中占據更有利的位置。

微光顯微鏡（EMMI）無法探測到亮點的情況:

一、不會產生亮點的故障有歐姆接觸（OhmicContact）金屬互聯短路（MetalInterconnectShort）表面反型層（SurfaceInversionLayer）硅導電通路（SiliconConductingPath）等。

二、亮點被遮蔽的情況有掩埋結（BuriedJunctions）及金屬下方的漏電點（LeakageSitesunderMetal）。此類情況可采用背面觀測模式（backsidemode），但該模式*能探測近紅外波段的發光，且需對樣品進行減薄及拋光處理等。 我司微光顯微鏡探測芯片封裝打線及內部線路短路產生的光子，快速定位短路位置，優勢獨特。

這一技術不僅有助于快速定位漏電根源（如特定晶體管的柵氧擊穿、PN結邊緣缺陷等），更能在芯片量產階段實現潛在漏電問題的早期篩查，為采取針對性修復措施（如優化工藝參數、改進封裝設計）提供依據，從而提升芯片的長期可靠性。例如，某批次即將交付的電源管理芯片在出廠前的EMMI抽檢中，發現部分芯片的邊角區域存在持續穩定的微弱光信號。結合芯片的版圖設計與工藝參數分析，確認該區域的NMOS晶體管因柵氧層局部厚度不足導致漏電。技術團隊據此對這批次芯片進行篩選，剔除了存在漏電隱患的產品，有效避免了缺陷芯片流入市場后可能引發的設備功耗異常、發熱甚至燒毀等風險。其內置的圖像分析軟件，可測量亮點尺寸與亮度，為量化評估缺陷嚴重程度提供數據。科研用微光顯微鏡市場價

但歐姆接觸和部分金屬互聯短路時，產生的光子十分微弱，難以被微光顯微鏡偵測到，借助近紅外光進行檢測。。工業檢測微光顯微鏡廠家

相較于傳統微光顯微鏡，InGaAs（銦鎵砷）微光顯微鏡在檢測先進制程組件微小尺寸組件的缺陷方面具有更高的適用性。其原因在于，較小尺寸的組件通常需要較低的操作電壓，這導致熱載子激發的光波長增長。InGaAs微光顯微鏡特別適合于檢測先進制程產品中的亮點和熱點（HotSpot）定位。InGaAs微光顯微鏡與傳統EMMI在應用上具有相似性，但InGaAs微光顯微鏡在以下方面展現出優勢：

1.偵測到缺陷所需時間為傳統EMMI的1/5~1/10；

2.能夠偵測到微弱電流及先進制程中的缺陷；

3.能夠偵測到較輕微的MetalBridge缺陷；

4.針對芯片背面（Back-Side）的定位分析中，紅外光對硅基板具有較高的穿透率。 工業檢測微光顯微鏡廠家